特許

J-GLOBAL ID：200903017204080947

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 土屋 達男 ,  戸井田 孝志
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189109
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023014
出願日： 1987年09月01日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の高密度化が可能な配線金属構造と、この構造を形成するための製造方法とを提供する。【解決手段】 絶縁性基板または絶縁膜上に設け島状に分離する半導体薄膜12と、ゲート酸化膜を介して設けたゲート電極に整合する領域の半導体薄膜に設けるソースドレイン18,20と、半導体薄膜側面部のソースドレインとこのソースドレイン近傍の絶縁性基板または絶縁膜とが露出する開口領域を設ける中間絶縁膜22と、中間絶縁膜の開口領域に埋め込むように設ける第1の配線金属30と、第1の配線金属と接続するように設ける第2の金属配線32とを備える半導体集積回路装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板または絶縁膜上に設け島状に分離された半導体薄膜と、ゲート酸化膜を介して設けたゲート電極に整合する領域の半導体薄膜に設けるソースドレインと、半導体薄膜側面部のソースドレインとこのソースドレイン近傍の絶縁性基板または絶縁膜とが露出する開口領域を設ける中間絶縁膜と、中間絶縁膜の開口領域に埋め込むように設ける第1の配線金属と、第1の配線金属と接続するように設ける第2の金属配線とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 29/78 616 K ,  H01L 27/12 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-131573
  
• 特開昭61-056460