特許
J-GLOBAL ID：200903017204400380
力変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296032
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高温環境下でも圧縮力を検出することが可能な力変換素子に関し、シリコン単結晶板の厚さを薄くしないで自己温度補償を行いつつ、出力電圧を確保することを目的とする。【構成】 中央に形成された厚肉部6に連続して歪を生じる薄肉起歪部7を厚肉部の周りに形成し、この歪部の周りに該歪部と一体に構成された支持部8を有するシリコン単結晶板3と、シリコン単結晶板を、その支持部を介して支持する基台2と、シリコン単結晶板に力を伝達する台座5と、シリコン単結晶板の上に形成された絶縁膜4と、前記シリコン単結晶板の薄肉起歪部7と重なる位置で絶縁膜上に形成されて不純物をドーピングした多結晶シリコン膜からなるゲージ抵抗を、ストレインゲージとして構成したホイートストーンブリッジ回路とを備えている。
請求項（抜粋）：
中央に形成された厚肉部に連続して圧縮力が加えられて歪を生じる薄肉起歪部を厚肉部の周りに形成し、この歪部の周りに該歪部と一体に構成された支持部を有するシリコン単結晶板と、シリコン単結晶板を、その支持部を介して支持する基台と、シリコン単結晶板に力を伝達する台座と、シリコン単結晶板の上に形成された絶縁膜と、前記シリコン単結晶板の薄肉起歪部と重なる位置で絶縁膜上に形成されて不純物をドーピングした多結晶シリコン膜からなるゲージ抵抗を、ストレインゲージとして構成したホイートストーンブリッジ回路とを備えていることを特徴とする力変換素子。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
