特許

J-GLOBAL ID：200903017213306940

化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法

発明者： 平野 博之
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188468
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、き裂や反りを抑えた、均質なCVD-SiC成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、3層以上の炭化ケイ素層の積層体から成り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが100μm以下である、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体である。また、その製造方法は、CVD法によりSiC層を形成し、次いで該SiC層の表面を平坦化する工程を複数回繰り返すことにより、各層の厚みが100μm以下のSiC層を所望厚み以上に積層した後、基体を除去することを特徴とする、CVD法によるSiC成形体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

3層以上の炭化ケイ素層の積層体から成り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが100μm以下である、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体。

IPC (6件)：

C04B 35/565 ,  B28B 1/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501