特許
J-GLOBAL ID：200903017213445621
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027417
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223635
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 銅膜又は銅合金膜からなる配線を有する半導体装置の信頼性を高めることが可能な技術を提供する。【解決手段】 周囲が絶縁膜で囲まれ、かつ銅膜又は銅合金膜からなる配線を有する半導体装置であって、前記配線と前記絶縁膜との間に、高融点金属と銅を主成分とする導電層を設ける。前記導電層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウムのうち少なくとも一つの高融点金属と銅を主成分とする金属膜、又は、チタン、ジルコニウム、ハフニウムのうちいずれかの高融点金属と銅との金属間化合物からなる金属膜、若しくは、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンのうち少なくとも一つの高融点金属と銅を主成分とする金属膜で形成されている。
請求項（抜粋）：
周囲が絶縁膜で囲まれ、かつ銅膜又は銅合金膜からなる配線を有する半導体装置であって、前記配線と前記絶縁膜との間に、高融点金属と銅を主成分とする導電層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 R
