特許
J-GLOBAL ID：200903017213975400
多結晶シリコンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207071
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067511
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 機械的加工物であるにもかかわらず、表面が鉄原子で汚染されていない高純度の多結晶シリコンを得る。【構成】 表面が鉄原子で汚染された多結晶シリコンを好適には王水、水および弗酸で順次洗浄する。例えば、硝酸:塩酸(容量比)=1:1の王水、水および1〜20重量%の弗酸でこの順に洗浄する。
請求項（抜粋）：
表面が鉄原子で汚染された多結晶シリコンを、酸化性の薬液、水、および酸化膜を分解し得る薬液で順次洗浄することを特徴とする表面が清浄な多結晶シリコンの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, B08B 3/08
, C01B 33/037
