特許
J-GLOBAL ID：200903017216653519
複合磁性体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021620
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 300MHzから3GHzの周波数帯域でノイズ吸収特性に優れる複合磁性体を得る。【解決手段】 磁性体から成る連続層と絶縁性セラミックあるいは非磁性体から成る非多孔性の分散層を有し、かつ、初透磁率が10以上500以下,100MHzにおける誘電率が50以下であることを特徴とする複合磁性体。
請求項（抜粋）：
磁性体から成る連続層(第1層)と絶縁性セラミックから成る非多孔性の分散層(第2層)を有する構造を持ち、かつ、初透磁率が10以上500以下,100MHzにおける誘電率が50以下であることを特徴とする複合磁性体。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01F 1/34 A
, H01F 1/00 C
, H01F 1/34 B
