特許
J-GLOBAL ID:200903017219717895

チオアニソール誘導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 細田 芳徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-150156
公開番号(公開出願番号):特開平10-330352
出願日: 1997年05月23日
公開日(公表日): 1998年12月15日
要約:
【要約】【課題】望まれる光学材料の特性を有する、すなわち高屈折率を有し、比重が小さい樹脂を製造するために好適な単量体であるチオアニソール誘導体を提供すること、チオアニソール誘導体の製造方法を提供すること、該チオアニソール誘導体の有用な出発原料である2,4-ビス(ハロゲノメチル)チオアニソールを提供すること、ならびに該2,4-ビス(ハロゲノメチル)チオアニソールの製造方法を提供すること。【解決手段】一般式 (I):【化1】(式中、nは0〜2の整数を示す)で表されるチオアニソール誘導体、および該チオアニソール誘導体の製造方法。
請求項(抜粋):
一般式 (I):【化1】(式中、nは0〜2の整数を示す)で表されるチオアニソール誘導体。
IPC (6件):
C07C321/28 ,  B01J 27/02 ,  C07C319/14 ,  C07C319/20 ,  C07C323/09 ,  C07B 61/00 300
FI (6件):
C07C321/28 ,  B01J 27/02 X ,  C07C319/14 ,  C07C319/20 ,  C07C323/09 ,  C07B 61/00 300

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