特許

J-GLOBAL ID：200903017220262710

半導体発光素子材料および構造

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357455
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183397
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 波長500〜600ナノメートルにおける新しい半導体発光素子材料と構造を供給する。【解決手段】厚さが2ナノメートル以下で、砒素(As)あるいは燐(P)の組成が20%以下である、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、窒素( N )および砒素(As)を構成元素とするGaInNAs、あるいはこの材料の砒素を燐(P)に置き換えたGaInNP、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長500〜600ナノメートルにおける発光を得る。

請求項（抜粋）：

ガリウム(Ga)、インジウム(In)、窒素(N)および砒素(As)を構成元素とすることを特徴とする半導体発光素子材料(GaInNAs)。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

Fターム (8件)：

5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073EA06