特許
J-GLOBAL ID：200903017220266813
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160627
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 内部応力の緩和、発光色の純度の向上、及び駆動電圧の抑制。【解決手段】 活性層206は、Al0.95In0.05Nから成る膜厚約5nmの量子障壁層2061と、Al0.70In0.30Nから成る膜厚約5nmの量子井戸層2062とが交互に積層された、計13層、全6周期の多重量子井戸構造に形成されている。この半導体レーザ200では、高いインジウム(In)混晶比の量子井戸層2062を形成したため、この量子井戸層の内部のInN組成の偏在が大幅に抑制されている。また、高いインジウム混晶比の量子障壁層2061、及び、量子井戸層2062を形成することにより、活性層206の格子定数を全体的に大きくできた。このため、活性層206を比較的柔らかく形成することができ、駆動電圧(発振しきい値)が十分に抑制でき、また、熱応力や駆動電圧の緩和/抑制により動作寿命が長い良好な半導体レーザを製造することができた。
請求項（抜粋）：
基板の上に III族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を積層した半導体発光素子において、Al<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N(0<x≦1)より成る量子井戸層を有することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA52
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F073AA03
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073CA02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB13
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA29
