特許

J-GLOBAL ID：200903017224796256

半導体装置

発明者： 寺尾 元康 ,  笹子 佳孝 ,  黒土 健三 ,  小埜 和夫 ,  藤崎 芳久 ,  高浦 則克 ,  竹村 理一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-206890
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043905
出願日： 2007年08月08日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】情報の記憶が可能な半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】メモリ素子RMの記憶層MLを、下部電極BE側の第1の層ML1と上部電極TE側の第2の層ML2で形成する。第1の層ML1は、Cu,Ag,Au,Al,Zn,Cdの第1の元素群の少なくとも1種類を20原子%以上70原子%以下含有し、V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Ti,Zr,Hf,Fe,Co,Ni,Pt,Pd,Rh,Ir,Ru,Os,ランタノイド元素の第2の元素群の少なくとも1種類を3原子%以上40原子%以下含有し、S,Se,Teの第3の元素群の少なくとも1種類を20原子%以上60原子%以下含有する。第2の層ML2は、第1の元素群の少なくとも1種類を5原子%以上50原子%以下含有し、第2の元素群の少なくとも1種類を10原子%以上50原子%以下含有し、酸素を30原子%以上70原子%以下含有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

記憶層と前記記憶層の両面にそれぞれ形成された第1電極および第2電極とを有するメモリ素子を半導体基板上に形成した半導体装置であって、 前記記憶層が、互いに隣接する前記第1電極側の第1の層と前記第2電極側の第2の層とを有し、 前記第1の層は、Cu,Ag,Au,Al,Zn,Cdより成る第1の元素群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Ti,Zr,Hf,Fe,Co,Ni,Pt,Pd,Rh,Ir,Ru,Os,ランタノイド元素より成る第2の元素群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、S,Se,Teより成る第3の元素群より選ばれた少なくとも1種類の元素とを含有する材料からなり、 前記第2の層ML2は、前記第1の元素群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、前記第2の元素群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、酸素とを含有する材料からなること特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A

Fターム (30件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182775   出願人：ソニー株式会社