特許
J-GLOBAL ID：200903017227834744
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079960
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270195
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 センスマージンの向上、センススピードの高速化。【解決手段】 センスアンプ14までの抵抗、容量の異なる複数個のリファレンスセル列7N,7M,7Fを設け、これらを選択メモリセルに応じて切り換え使用する。
請求項（抜粋）：
アドレス信号に基づきメモリセルアレイより選択されたメモリセルの状態に応じた出力レベルを出力するデータ線と、リファレンスセルの状態に応じた基準レベルを出力するリファレンスデータ線と、上記データ線の出力レベルと上記リファレンスデータ線の出力である基準レベルとを比較増幅する増幅回路とを有する半導体記憶装置に於いて、上記増幅回路までの抵抗または容量が異なり、リファレンスセルが複数個接続されたリファレンスレベル発生回路を複数個有し、該リファレンスレベル発生回路を、上記メモリセルアレイより選択されるメモリセルに応じて切り換える切り換え回路を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 520 C
, G11C 17/00 306 Z
