特許

J-GLOBAL ID：200903017228182317

多孔質シリカの製造方法、多孔質シリカおよびその用途

発明者： 高村 一夫 ,  大池 俊輔 ,  村上 雅美 ,  田中 博文
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (2件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349978
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116830
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 本発明の課題は、半導体材料の層間絶縁膜などに好適に使用可能な多孔質シリカを製造する方法、すなわち有機化合物含有量が著しく低減された多孔質シリカを製造する方法を提供することにある。更に、得られた多孔質シリカを用いた半導体材料や上記半導体材料を用いた半導体装置を提供することにある。【解決手段】 本発明に係る多孔質シリカの製造方法は、多孔質シリカ前駆体をH2O含有雰囲気下で焼成して該前駆体中に含まれる有機化合物を除去することを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

多孔質シリカ前駆体をH2O含有雰囲気下で焼成して、該前駆体中に含まれる有機化合 物を除去することを特徴とする多孔質シリカの製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  C01B33/12

FI (2件)：

H01L21/316 G ,  C01B33/12 D

Fターム (22件)：

4G072AA28 ,  4G072BB15 ,  4G072CC04 ,  4G072FF01 ,  4G072FF04 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072KK20 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072UU01 ,  4G072UU15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 国際公開第99/03926号パンフレット
  
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-220271   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 有機/無機複合多孔材料及び多孔材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-208074   出願人：株式会社豊田中央研究所