特許

J-GLOBAL ID：200903017229803277

ホール素子

発明者： 舟木 英之 ,  望月 博 ,  丸山 亮司 ,  藤井 佳苗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249805
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 素子の小型化を図った上で、オフセット電圧の低減と素子感度の向上を容易に達成し得るホール素子を提供する。【構成】 p型半導体基板11上には、中間絶縁酸化層12を介してn型半導体活性層13が設けられている。n型半導体活性層13の側面部を含む周囲は、絶縁酸化物を埋め込んだトレンチ14、15により囲まれている。 3つの電流供給電極部16a、16b、16cは、トレンチ15に沿って活性層13の深さ方向に設けられている。センサ用電極部17a、17bは、電流供給電極部16a、16b、16c間のほぼ中間に、トレンチ15に沿って活性層13の深さ方向に設けられている。電流供給電極部16およびセンサ用電極部17は、それぞれ中間絶縁酸化層12に達する高濃度n型コンタクト領域19を有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、少なくとも側面部を含む周囲が絶縁層により囲まれた活性層と、前記絶縁層に沿って前記活性層に設けられた 2つ以上の電流供給電極部と、前記電流供給電極部間のホール電圧を測定し得るように、前記絶縁層に沿って前記活性層に設けられた少なくとも2つのセンサ用電極部とを具備し、前記活性層の表面に対して垂直方向に磁界が印加されることを特徴とするホール素子。

IPC (2件)：

H01L 43/06 ,  H01L 27/12