特許

J-GLOBAL ID：200903017230774086

半導体レーザ装置

発明者： 三橋 豊 ,  花巻 吉彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207697
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023200
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 温度特性が良好でかつ信頼性の高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 上面に素子電極が形成されたリッジ導波路部を有する半導体レーザダイオードと一方の主面にサブマウント電極を有するサブマウントとを備え、リッジ導波路部の上面に形成された素子電極は、In,Pb及びSnからなる群から選択された少なくとも1つを含むハンダからなる第1の接合部材によりサブマウント電極に電気的に導通するように接合され、リッジ導波路部の両側に位置する半導体レーザダイオードの表面は第2の接合部材によりサブマウントの一方の面に接合されている。

請求項（抜粋）：

上面に素子電極が形成されたリッジ導波路部を有する半導体レーザダイオードと一方の主面にサブマウント電極を有するサブマウントとを備え、上記リッジ導波路部の上面に形成された素子電極は、In,Pb及びSnからなる群から選択された少なくとも1つを含むハンダからなる第1の接合部材により上記サブマウント電極に電気的に導通するように接合され、上記リッジ導波路部の両側に位置する上記半導体レーザダイオードの表面は第2の接合部材により上記サブマウントの一方の面に接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22