半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225671
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063157
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】タンタル酸化膜を用いた半導体装置のキャパシタであって、タンタル酸化膜と電極とのあいだに、Ta、Si、Oにより構成される比誘電率の小さい界面層の形成を防止して容量の低下を防ぐことを目的とする。【構成】キャパシタ下部電極膜5を金属タンタル膜(Ta膜)52とn+型多結晶シリコン51の二層構造とし、かつ、金属タンタル膜52上にタンタル酸化膜8を形成すること、または下部電極膜とタンタル酸化膜とのあいだにタンタル窒化膜を形成することにより、Ta、Si、Oにより構成される低誘電率の界面層の形成を防止する。

請求項（抜粋）：

二つの電極膜のあいだに誘電体膜が配置されて形成されたキャパシタを有する半導体装置であって、前記誘電体膜がタンタル酸化膜で形成され、前記電極膜の少なくとも下側の電極膜の前記誘電体膜側に金属タンタル膜が形成されてなる半導体装置。

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