特許

J-GLOBAL ID：200903017233604424

配線パターンおよびその形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252562
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086285
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エッチング中に、形成される銅系金属パターンの抵抗を高めることなく、その側壁に金属窒化物からなる側壁保護膜を形成し、その側壁保護膜で酸化防止膜の形成を図る。【構成】 配線パターン1は、銅系金属パターン11とその側壁に設けた金属窒化膜または金属窒化酸化膜からなる酸化防止膜12とで構成される。その形成方法は、ガス状の金属塩化物と窒素系ガスと塩素系ガスとを含むエッチングガスを用いて銅系金属層をエッチングする際に、当該銅系金属層で形成される銅系金属パターン11の側壁に金属窒化物を堆積しながら、当該銅系金属層をエッチングする。そして窒化処理を行って、側壁保護膜の金属窒化物を当該窒化処理前よりも緻密な金属窒化物に改質する。

請求項（抜粋）：

銅系金属パターンと、前記銅系金属パターンの側壁に設けた金属窒化膜または金属窒化酸化膜からなる酸化防止膜とで構成されることを特徴とする配線パターン。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D