特許

J-GLOBAL ID：200903017236142839

炭化ケイ素膜の形成方法

発明者： キム、ユンソー ,  ボー、ジン - ヒョ ,  ユ、キュ - サング ,  ジュング、イル・ナム ,  イエオン、ソウング・ホ
出願人/特許権者： コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・ケミカル・テクノロジー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-511613
公開番号（公開出願番号）：特表平9-503822
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】本発明は、炭素原子とケイ素原子を交替に有した少なくとも一つの線形シラアルカン化合物を蒸気化し、前記線形シラアルカン化合物の蒸気を真空システムに付加して基質を前記蒸気に露出させて基質の表面上に炭化ケイ素膜を形成することを含む、無定形、α-またはβ-炭化ケイ素膜の化学蒸着方法。前記原料化合物を単独にまたは二つ以上混合して、場合によっては水素またはアルゴン運搬気体と共に使用して、1000°C以下の温度で過剰の炭素またはケイ素なしでα-またはβ-炭化ケイ素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

炭素原子とケイ素原子を交替に有した少なくとも一つの線形シラアルカン化合物を蒸気化し、該線形シラアルカン化合物の蒸気を真空システムに付加して基質を該蒸気に露出させ、前記基質の表面上に炭化ケイ素膜を形成することを特徴とする炭化ケイ素膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/36

FI (5件)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36 A ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/36 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-213118
  
• 特開昭63-145782
  
• 特開昭63-224225