特許

J-GLOBAL ID：200903017237329290

半導体装置の製造方法

発明者： 仲井 淳一 ,  福永 誠規
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  日本化薬株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195945
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023935
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造工程において、ダイシングやボンディング等によって生じる異物等を確実に除去することにより半導体装置の製造における歩留まりを向上させながら、しかも、製造工程の増加を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの素子形成表面に疎水性モノマーとアルカリ可溶性モノマーとの共重合体からなる保護膜を形成し、前記半導体ウェハを前記保護膜とともに各半導体素子にダイシングして分離し、該分離された各半導体素子をパッケージにマウントし、前記半導体素子表面に残存する保護膜を除去する工程からなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの素子形成表面に疎水性モノマーとアルカリ可溶性モノマーとの共重合体からなる保護膜を形成し、前記半導体ウェハを前記保護膜とともに各半導体素子にダイシングして分離し、該分離された各半導体素子をパッケージにマウントし、前記半導体素子表面に残存する保護膜を除去する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。