特許

J-GLOBAL ID：200903017240639829

半導体デバイスの接触体とその製造法

発明者： 帰山 敏之
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232191
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092935
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 標準的リソグラフィ技術により得られるよりもさらに小さな寸法の接触体用ホールを備えた半導体デバイスを提供する。【解決手段】 1つの実施例では、第1マスク層110(例えば、ポリシリコンまたはフォトレジストの層)が絶縁体層112の上に作成される。絶縁体層112の一部分を露出するために、第1マスク層110がパターンに作成されそしてエッチングが行われる。次に、絶縁体層112の露出された部分にエッチングが行われて、底表面と内側側壁表面を備えた接触体用ホールが作成される。接触体用ホールの前記内側表面に沿って、側壁マスク層120(すなわち側壁パイプ120)が作成される。次に、側壁マスク層120をエッチング・マスクとして用いて接触体用ホールの底表面に対しエッチングが行われ、接触体用ホール122が作成される。最後に、導電体部材で接触体用ホールを充填することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体層の上に第1マスク層を作成する段階と、前記絶縁体層の一部分を露出するために、前記第1マスク層をパターンに作成する段階およびエッチングする段階と、底表面と内側側壁表面とを有する接触体用ホールを作成するために、前記絶縁体層の前記露出された部分をエッチングする段階と、前記接触体用ホールの前記内側側壁表面に沿って側壁マスク層を作成する段階と、接触体用ホールを作成するために前記側壁マスク層をエッチング・マスクとして用いて前記接触体用ホールの前記底表面をエッチングする段階と、前記接触体用ホールを導電体部材で充填する段階と、を有する、絶縁体層を貫通する接触体用孔を作成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 621 C