特許
J-GLOBAL ID：200903017246924436
半導体装置およびその利用方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190833
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 高周波動作が可能でかつ多入力,多出力を可能とする半導体装置およびその利用方法を得る。【構成】 N型微分負性抵抗特性を示し、かつこの負性抵抗特性を電圧を印加されることにより変化させる制御電極22a,22bを有する微分負性抵抗素子を、コレクタ電極19bとエミッタ電極20aとの間に2個直列に接続し、2個の負性抵抗素子の接続点を出力端子23とし、制御電極22a,22bを入力端子とし、コレクタ電極19b,エミッタ電極20aを駆動電圧端子とした。
請求項（抜粋）：
N型微分負性抵抗特性を有する負性抵抗素子を第1の電極と第2の電極との間に2個直列に接続し、前記2個直列接続された負性抵抗素子の接続点を出力端子とし、前記負性抵抗素子の少なくとも一つは負性抵抗特性を電圧が印加されることにより変化させる制御電極を有し、前記制御電極を入力端子とし、前記第1の電極および第2の電極を周期性の駆動電圧が供給される駆動電圧端子としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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