メモリ回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173274
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351061
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】大容量・低信頼性・低速で動作する多値モードと低容量・高信頼性・高速で動作する2値モードとを1つの記憶素子で切り替え可能とする場合におけるメモリ全体としての信頼性を高める。【解決手段】複数の抵抗状態を有し、各抵抗状態が異なった抵抗値を有する薄膜であって多値の抵抗メモリとなる第1の薄膜材料からなり、2n個の抵抗状態を用いてnビットとして動作させる多値モードと2個の抵抗状態を用いて1ビットとして動作させる2値モードとが切り替え可能なメモリセルからなる第1のメモリアレイ領域と、第2の薄膜材料を用いた2値モードで動作させるメモリセルからなる情報格納用の信頼性の高い第2のメモリアレイ領域とを設け、第2のメモリアレイ領域にデータ記憶用の第1のメモリアレイ領域の動作モードのための情報を格納する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成された第1のメモリアレイ領域と第2のメモリアレイ領域とを備え、前記第1のメモリアレイ領域には、電気的パルスにより抵抗値の異なる複数の抵抗状態を有する可変抵抗薄膜であって多値の抵抗メモリとなる第1の薄膜材料を用いて形成され、2n個の抵抗状態を用いてnビットとして動作させる多値モードと2個の抵抗状態を用いて動作させる2値モードとが切り替え可能なメモリセルが複数個形成されており、前記第2のメモリアレイ領域には、第2の薄膜材料を用いたメモリセルが複数個形成されており、前記第2のメモリアレイ領域には、前記第1のメモリアレイ領域の動作モードのための情報が格納される、ことを特徴とするメモリ回路。

IPC (3件)：

G11C 13/00 , H01L 27/10 , G11C 11/22

FI (3件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 451 , G11C11/22 501Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083PR23 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,204,139号明細書
米国特許第6,473,332号明細書

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