特許
J-GLOBAL ID：200903017266246620
窒化チタン薄膜成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268873
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127870
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 良好なカバレッジを維持したまま、窒化チタン薄膜の膜厚分布を改善する。【構成】 前記窒素ガスに流量比で、1/8≦アルゴンガス/窒素ガス≦1/3の範囲でアルゴンガスを添加し、成膜中の雰囲気圧力を1×10-1Pa以下の圧力に保った状態でチタンターゲットをスパッタして基板上に窒化チタン薄膜を成膜することを特徴とする。【効果】 微細孔の埋込特性がよく、基板表面の膜厚分布が均一な窒化チタン薄膜が得られる。
請求項（抜粋）：
基板とチタンターゲットとを真空雰囲気中で対向配置させ、前記真空雰囲気内に反応性ガスとして窒素ガスを導入し、前記チタンターゲットをスパッタして前記基板に窒化チタンの薄膜を成膜する窒化チタン薄膜成膜方法において、前記窒素ガスに流量比で、1/8≦アルゴンガス/窒素ガス≦1/3の範囲でアルゴンガスを添加し、成膜中の雰囲気を1×10-1Pa以下の圧力に保つことを特徴とする窒化チタン薄膜成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/54
, C23C 14/06
, C23C 14/34
