特許

J-GLOBAL ID：200903017268668581

薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法

発明者： 申 雄 ▲てつ▼ ,  姜 允 善
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155150
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004935
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】非晶質物質層上に結晶性および表面モルフォロジーに優れた薄膜を形成させうる薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】非晶質物質層の上表面にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される1種または2種を供給することによって、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、テルル化アンチモン、およびアンチモンがドープされたゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種を含むシード層を形成する段階と、前記シード層上にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される少なくとも1種を供給して、薄膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜の製造方法、およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法である。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

非晶質物質層の上表面にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される1種または2種を供給することによって、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、テルル化アンチモン、およびアンチモンがドープされたゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種を含むシード層を形成する段階と、 前記シード層上にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される少なくとも1種を供給して、薄膜を形成する段階と、 を含むことを特徴とする、薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (11件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21