特許
J-GLOBAL ID：200903017271527220
バンプ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037192
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 バンプの抵抗の増大、Alパッドとの密着強度の低下を防止する為に、厄介で困難な残渣・残留物の除去を簡単に行い、またポリイミドの保護膜が、後のポリイミドバンプの作成時に現像液で侵されず、またその後のキュア時にクラックが入ることのないバンプ製造方法を提供する。【構成】 相互に電気的導通をとるウェハーの半導体素子と実装基板のいずれかの面に電極が形成されているその表面に、感光性ポリイミドを塗布し、乾燥し、電極に対して露光し、現像し、キュアしてポリイミドバンプを形成した後、アッシング処理を行う。またウェハーのAlパッドを有する半導体素子上に感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像して、Alパッドを周縁以外に露出し、然る後バンプ用感光性ポリイミドの現像液に侵されない温度でキュアし、保護膜を作成する。
請求項（抜粋）：
相互に電気的導通をとるウェハーの半導体素子と実装基板のいずれかの面に電極が形成されているその表面に、感光性ポリイミドを塗布し、乾燥し、電極に対して、露光し、現像し、キュアしてポリイミドバンプを形成した後、アッシング処理を行ない、その後ポリイミドバンプの表面に導電膜を被覆することを特徴とするバンプ製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
