特許

J-GLOBAL ID：200903017276683581

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 岡本 和孝 ,  阿部 輝宜 ,  稲垣 正寿 ,  青野 泰久 ,  山口 正治 ,  乾 晴行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264790
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】大型の炭化珪素(SiC)単結晶を製造するのに適した製造方法を提供する。【解決手段】遷移金属のうちの少なくとも一種の元素と、Siと、Cとを含む原料を加熱装置22で加熱して溶融して融液23とし、融液23を冷却することにより、炭化珪素単結晶29を析出成長させる、炭化珪素単結晶の製造方法である。

請求項（抜粋）：

遷移金属のうちの少なくとも一種の元素と、Siと、Cとを含む原料を溶融して融液とし、前記融液に単結晶の炭化硅素種結晶を接触させるとともに、前記融液の温度を該融液の液相線よりも低い温度の融液の状態に冷却することにより、炭化珪素単結晶を析出成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077EA01 ,  4G077EA02 ,  4G077EH07