特許

J-GLOBAL ID：200903017279059579

半導体集積回路基板ならびに半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 石川 勝彦 ,  伊藤 雅樹 ,  伊藤 秀文 ,  小西 信博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052119
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246126
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路基板を切り出した後の個々のチップのチップ座標を特定する。【解決手段】 ウェハ1の裏面に、原点3を中心とする同心円10〜14を形成し、同心円10〜14の線幅は、X軸4およびY軸5からなる座標の象限に応じて異ならせる。ウェハ1から切り出したLSIチップ2の裏面に表された円弧を周知の光学系により読み取り、その線幅からウェハ1における象限を求め、円弧の曲率から原点3までの距離を求め、円弧に接する接線に垂直な線分であって長さが先に求めた距離と同一である線分によりX軸4とのなす角度を求め、これら象限、距離および角度のデータから、LSIチップ2のウェハ1におけるチップ座標を確定する。

請求項（抜粋）：

その主面に半導体集積回路が形成された半導体集積回路基板であって、前記半導体集積回路基板の表面もしくは裏面または両面に、直線、曲線もしくは連続的な文字の連なりまたはそれらの結合により構成された模様を有し、前記模様は、前記半導体集積回路基板に前記模様が付された任意の位置に対する基準点からの距離に関する第1の情報と、前記模様が付された任意の位置および前記基準点を含む線分と前記基準点を含む基準線分とがなす角度に関する第2の情報と、を含むものであることを特徴とする半導体集積回路基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/02 A ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/78 R