特許
J-GLOBAL ID:200903017283542314
フォトリソグラフィ法及びその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森下 武一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-503534
公開番号(公開出願番号):特表平10-510932
出願日: 1996年04月25日
公開日(公表日): 1998年10月20日
要約:
【要約】以下の工程を含むフォトリソグラフィ法。第1平面光モジュレータ(302a)上に第1パターンを作る工程、第1平面光モジュレータ(302a)は複数の画素を有し、第1パターン(100)は予め規定された数のアドレスされた画素により形成される;第2平面光モジュレータ(302b)上に第2パターン(102)を作る工程、第2平面光モジュレータ(302b)は複数の画素を有し、第2パターン(102)は第1パターン(100)又はその一部に対応するアドレスされた画素からなる第1領域(102a)と、この第1領域(100a)に隣接するアドレスされた画素からなる第2領域(102b)とを含む;第1及び第2パターン(100,102)を基板(316)の露光領域(314)上に投影する工程。
請求項(抜粋):
以下の工程を備えていることを特徴とするフォトリソグラフィ法: a) 第1平面光モジュレータ(302a)上に第1パターン(100)を作る工程、第1平面光モジュレータ(302a) は複数の画素を有し、第1パターン(100)は予め規定された数のアドレスされた画素により形成される; b) 第2平面光モジュレータ(302b)上に第2パターン(102)を作る工程、第2平面光モジュレータ(302b)は複数の画素を有し、第2パターン(102)は第1パターン(100)又はその一部に対応するアドレスされた画素からなる第1領域(102a)と、この第1領域(100a)に隣接するアドレスされた画素からなる第2領域(102b)とを含む; c) 第1及び第2パターン(100,102)を基板の露光領域(314)上に投影する工程。
IPC (2件):
G03F 7/20 521
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 D
, H01L 21/30 515 A
, H01L 21/30 528
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