特許

J-GLOBAL ID：200903017283548045

単極抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイス、および垂直スタックアーキテクチャ

発明者： バリー・クッシング・スタイプ
出願人/特許権者： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322163
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165873
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】アンチヒューズに取って代わることができ、多結晶シリコンダイオードとの互換性を有する書き換え可能可変抵抗メモリ素子が必要である。【解決手段】メモリ構造100は、ダイオード118を含むピラー117を有する。ダイオード118は、順番としてMIM RRAMスタック120の上に形成される。MIM RRAMスタック120は、ビット線122の上にある。ダイオード118は、ワード線112の下に形成される。任意に、RRAMスタック120とダイオード118との間には障壁層119が形成される。ビット線122とワード線112の交点は、メモリセルの層を形成する。メモリ構造100は、多結晶シリコンダイオードとの互換性を有し、低コスト単極書き換え可能可変抵抗メモリ素子を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ビット線またはワード線によって分離され、垂直にスタックされた第1および第2のメモリピラーを有するメモリ構造であって、前記第1のメモリピラーは、 第1の電流方向を有する第1のダイオードと、 前記第1のダイオードの下にかつビット線またはワード線の上に形成され、前記第1および第2のピラーを分離する、第1の単極書き換え可能抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)スタックとを含み、 前記第2のメモリピラーは、 第1の電流方向とは反対方向である第2の電流方向を有するように位置付けられた第2のダイオードと、 前記第2のダイオードの下に形成された第2の単極書き換え可能RRAMスタックとを含むメモリ構造。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 49/00 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2004/0245547号明細書