特許
J-GLOBAL ID：200903017286840081
半導体装置の加工方法および半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257185
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 薄い半導体基板の反りを低減するようにしたものである。【解決手段】 各請求項の発明は半導体基板20の1の表面20aaに保護材21を貼り付け、他の表面20を研削し、その後、前記保護材21を剥がすようにしたものにおいて、研削した半導体基板20を平坦化し、この平坦化にした半導体基板20の外周部20aに硬化樹脂11を塗布し硬化し、この塗布し硬化した硬化樹脂11の内面の半導体基板20に半導体素子、電極、配線等を形成するようにしたから半導体基板の反りが少なくなり移送、輸送時等に損傷を生じることがない。
請求項（抜粋）：
半導体基板の1の表面に保護材を貼り付け、他の表面を研削し、その後、前記保護材を剥がすようにしたものにおいて、研削した半導体基板を平坦化し、この平坦化した半導体基板の外周部に硬化樹脂を塗布し硬化し、この塗布し硬化した硬化樹脂の内面の半導体基板に半導体素子、電極、配線等を形成する、ことを特徴とする半導体装置の加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/301
H01L 21/304 622 P
, H01L 21/78 L
