電界放出素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：脇篤夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023512
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】カソード電極に形成されるエミッタの均一化を図ることができる電界放出素子の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板1に対して垂直方向から不純物をイオン注入することにより、シリコン基板内にP(リン)が拡散された第1のリン拡散層4を形成し、さらにこの第1のリン拡散層4内にレジストマスク12を介して垂直方向及び回転傾斜方向からPをイオン注入することにより、第1のリン拡散層4より高濃度のPが拡散された第2のリン拡散層8を形成する。そして、この第1のリン拡散層4と第2のリン拡散層8のエッチングレートの違いを利用して第2のリン拡散層8を除去することで均一なエミッタコーン4a,4a・・が形成されたカソード電極11をシリコン基板1内に形成するようにした。

請求項（抜粋）：

少なくとも、エミッタが形成されたカソード電極層、絶縁層、ゲート電極層からなる電界放出素子の製造方法として、シリコン基板に対して垂直方向から不純物をイオン注入することにより、上記シリコン基板内に不純物が拡散された第1の拡散層を形成し、上記第1の拡散層内にレジストマスクを介して垂直方向及び回転傾斜方向から不純物をイオン注入することにより、上記第1の拡散層より高濃度の不純物が拡散された第2の拡散層を形成し、上記第2の拡散層を除去することで、上記シリコン基板に上記エミッタが形成されたカソード電極層を形成するようにしたことを特徴とする電界放出素子の製造方法。

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