特許

J-GLOBAL ID：200903017292731812

高耐電圧半導体スイッチ回路

発明者： 白濱 秀文 ,  徳永 紀一 ,  大和 育男 ,  渡辺 晃造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067335
公開番号（公開出願番号）：特開平8-265122
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、高耐電圧半導体スイッチ回路を小形・軽量化し、低コスト化を図ると共に、スイッチの耐振性を向上する。【構成】複数の半導体スイッチ素子を直列接続し、抵抗器とコンデンサの直列回路から成るサージ吸収回路を各半導体スイッチ素子のアノード端子とカソード端子間に設けて構成する高耐電圧半導体スイッチ回路において、アノード端子に前記サージ吸収回路のコンデンサ側端子を接続した前記半導体スイッチ素子と,カソード端子に前記サージ吸収回路のコンデンサ側端子を接続した前記半導体スイッチ素子を交互に直列接続させることにより、前記各サージ吸収回路間で各コンデンサ側端子同士を、または各抵抗器側端子同士を接続させる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体スイッチ素子を直列接続し、抵抗器とコンデンサの直列回路から成るサージ吸収回路を各半導体スイッチ素子のアノード端子とカソード端子間に設けて構成する高耐電圧半導体スイッチ回路において、アノード端子に前記サージ吸収回路のコンデンサ側端子を接続した前記半導体スイッチ素子と,カソード端子に前記サージ吸収回路のコンデンサ側端子を接続した前記半導体スイッチ素子を交互に直列接続させることにより、前記各サージ吸収回路間で各コンデンサ側端子同士を、または各抵抗器側端子同士を接続させるようにしたことを特徴とする高耐電圧半導体スイッチ回路。

IPC (5件)：

H03K 17/10 ,  H01H 9/54 ,  H03K 17/00 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/73

FI (5件)：

H03K 17/10 ,  H01H 9/54 A ,  H03K 17/00 A ,  H03K 17/16 M ,  H03K 17/73 E