特許
J-GLOBAL ID：200903017295299563
イオンセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047592
公開番号（公開出願番号）：特開2002-250712
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】小型化および長寿命化を図れるイオンセンサを提供する。【解決手段】特定のイオンに応答するISFET10が主表面側に形成されたシリコン基板1と、シリコン基板1の裏面に凹所1aを開口することにより形成された薄肉部1bに形成され凹所1aに充填された電解液31とシリコン基板1の主表面側の測定溶液とを接触させるための多数の微細な小孔38aが設けられた液絡部38と、凹所1aを閉塞するようにシリコン基板1に接合された支持体15と、電解液31に接触する銀-塩化銀電極よりなる参照電極34を備えている。シリコン基板1の裏面に開口された凹所1aに連通し電解液31が溜められる液溜め部17を支持体15に設けてあり、凹所1aと支持体15に設けられた液溜め部17とにわたって電解液31が充填されている。
請求項（抜粋）：
特定のイオンに感応するイオン感応膜が主表面側に露出する形で形成された半導体基板と、前記半導体基板の裏面に凹所を開口することにより形成された薄肉部に形成され前記凹所に充填された電解液と前記半導体基板の主表面側の測定溶液とを接触させるための小孔が設けられた液絡部と、前記凹所を閉塞するように前記半導体基板に接合された支持体と、電解液に接触する参照電極とを備え、前記凹所に連通し且つ電解液が溜められた液溜め部を前記支持体に設けてなることを特徴とするイオンセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 Z
, G01N 27/30 301 U
