特許

J-GLOBAL ID：200903017301130576

アモルファスシリコン膜およびその製造方法

発明者： 赤松 孝義 ,  野中 敏央 ,  野中 晴支
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069510
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050268
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、融点が290°C以下の基体上に形成されたアモルファスシリコン膜であって、明導電率が5×10-6S/cm以上であることを特徴とするアモルファスシリコン膜および、30MHz以上300MHz以下の周波数の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上にアモルファスシリコン膜を形成することを特徴とするアモルファスシリコン膜の製造方法に関する。【効果】 本発明によると、融点の低い材料の上にも、高品質のアモルファスシリコン膜を形成できるので、安価な耐熱性の低いプラスチック材料を基体として使用することができ、安価な太陽電池、アクティブマトリックスディスプレイやイメージセンサなどを提供することができる。

請求項（抜粋）：

融点が290°C以下の基体上に形成されたアモルファスシリコン膜であって、明導電率が5×10-6S/cm以上であることを特徴とするアモルファスシリコン膜。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/00 ,  H01L 31/04