特許
J-GLOBAL ID：200903017301430189
半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324110
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093643
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】局部的な銅配線パターンの銅の過剰溶解が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性が十分に確保でき、ホイスカの抑制効果がある半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁テープ基材3の片面に、接着剤10を介して又は接着剤なしで折り曲げ用のスリット穴31を覆って銅箔4を設け、この銅箔4をパターニングしてリード部11を含む銅配線パターン40を形成し、ICチップに接続されるリード部11を除き、上記スリット穴31に対応する銅配線折り曲げ部2を含めて、上記所定の銅配線パターン40にソルダーレジスト1を塗布し、硬化させた後、ソルダーレジスト1に覆われていないリード部11にAu又は半田のストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施し、銅配線折り曲げ部2にめっきを施さない構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆って前記テープ基材の片面に設けた銅箔をパターニングして形成した所定の銅配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
ICチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていない前記リード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F044MM03
, 5F044MM13
, 5F044MM22
, 5F044MM23
, 5F044MM48
, 5F044MM50
