特許

J-GLOBAL ID：200903017303354439

微細接続孔の形成方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065003
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 テーパ形状となることを防止し、微細化の要求にこたえることができる微細接続孔の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板101の上に2つのゲート電極110a,110bを水平距離を隔てて形成する。サイドウォール膜105を形成したのち層間絶縁膜106を形成する。その上に多結晶シリコン膜107を形成し、選択的にエッチングして開口107aを形成する。その上に多結晶シリコン膜108を形成したのち、O2 の流量比を高くしてエッチバックを行い内壁堆積膜109が内側面に生成されたサイドウォール膜108を形成する。このサイドウォール膜108が形成された多結晶シリコン膜107をエッチングマスクとしてエッチングを行い、2つのゲート電極110a,110bの間の層間絶縁膜106に微細接続孔を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に少なくとも絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上に開口を有するマスク層を形成する工程と、このマスク層の開口の内側に内壁堆積膜を内側面に有するサイドウォール膜を形成する工程と、このサイドウォール膜が形成された前記マスク層をエッチングマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記マスク層の開口よりも小さい径の微細接続孔を形成する工程とを含むことを特徴とする微細接続孔の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 X