半導体プロセスチャンバからの排ガスを除害するためのシステム

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-137558
公開番号（公開出願番号）：特開2006-314869
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】半導体プロセスチャンバから排出されるパーフルオロ化合物ガスを処理するための大気圧プラズマ除害装置を長期にわたって安定に駆動させること。【解決手段】第1の半導体プロセスと第2の半導体プロセスが行われるプロセスチャンバ(11)からの排ガス排出ライン系統を、第1の半導体プロセスからの排ガスを通過させるライン(L2)と第2の半導体プロセスからの排ガスを通過させるライン(L3)とに分け、第2の半導体プロセスからの排ガスライン(L3)に大気圧プラズマ除害装置(15)を設け、その上流に、主として第2の半導体プロセスからの排ガス中に残留する第1の半導体プロセスからの排ガスを処理する乾式処理装置(16)を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体プロセスとパーフルオロ化合物またはその前駆体を含むガスを総排ガスとして排出する第2の半導体プロセスが行われる半導体プロセスチャンバの下流で第1の排出導管を介して接続された排気ポンプに接続させるための第2の排出導管と、前記第2の排出導管から分岐する第3の排出導管と、前記第2の排出導管と第3の排出導管の分岐点よりも下流で前記第2の排出導管に設けられ、前記第1の半導体プロセスが行われている間は開放されて前記第1の半導体プロセスにおける排ガスを前記第2の排出導管を介して排出させ、前記第2の半導体プロセスが行われている間は閉鎖される第1の開閉弁と、前記第2の排出導管と第3の排出導管の分岐点よりも下流で前記第3の排出導管に設けられ、前記第2の半導体プロセスが行われている間は開放されて前記第2の半導体プロセスにおける排ガスを前記第3の排出導管を介して排出させ、前記第1の半導体プロセスが行われている間は閉鎖される第2の開閉弁と、前記第1の開閉弁の下流で前記第2の排出導管に接続され、前記第1の半導体プロセスからの排ガスを処理するための第1の処理装置と、前記第2の開閉弁の下流で前記第3の排出導管に接続され、前記パーフルオロ化合物またはその前駆体を大気圧プラズマで分解する第2の処理装置と、前記第2の開閉弁の下流、かつ前記第2の処理装置の上流で、前記第3の排出導管に設けられ、主として前記第2の半導体プロセスからの排ガス中に残留する第1の半導体プロセスからの排ガスを処理するための乾式処理装置とを備える半導体プロセスチャンバからの排ガスを除害するためのシステム。

IPC (5件)：

B01D 53/68 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , B01D 53/72 , B01D 53/34

FI (5件)：

B01D53/34 134C , C23C16/44 E , H01L21/205 , B01D53/34 120D , B01D53/34

Fターム (27件)：

4D002AA22 , 4D002AA26 , 4D002AC10 , 4D002BA03 , 4D002BA07 , 4D002BA13 , 4D002BA14 , 4D002CA13 , 4D002DA02 , 4D002DA05 , 4D002DA11 , 4D002DA23 , 4D002DA46 , 4D002EA02 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030EA11 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045BB10 , 5F045EG01

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開WO02/097158号明細書

審査官引用 (6件)

ハロゲン含有ガスの処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081777 出願人：三菱電機株式会社
プラズマ式PFC分解システムおよびPFC分解方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-116147 出願人：株式会社日立製作所
乾式ガスの除害処理装置および除害方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074404 出願人：セントラル硝子株式会社

全件表示

前のページに戻る