特許
J-GLOBAL ID：200903017311632219
光モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
角田 仁之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120225
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 高精度な位置合わせを必要とする光素子等を基板に搭載する為の光モジュール等の製造方法。【構成】 はんだバンプを用いて、光素子等を基板に搭載接続する光モジュール等の製造方法において、素子1と基板3の対向面上に、最上層がAuあるいはCuで円形状からなるはんだバンプ用の下地電極7を形成し、互いに対向する電極のどちらか一方を対向する他の電極より大きく形成すると共に大きい方の電極の最上層の形状と対向する他の電極とをほぼ同じ形状とし、対向部以外の外周部をはんだのぬれ性に劣る材料からなるはんだマスクで帯状に覆った電極構造に形成し、さらに、素子1または基板3のいずれかの表面上に所定の位置および形状の突起4,4を設け、対向する電極の位置合わせをなし、前記バンプ用はんだを加熱溶融することにより電極間を端子接続する製造方法。
請求項（抜粋）：
はんだバンプを用いて、光素子や光回路部品を搭載基板に接続する光モジュールの製造方法において、前記光素子や光回路部品と搭載基板の対向表面上に、最上層がAuあるいはCuで円形状からなるはんだバンプ用の下地電極を形成し、前記光素子や光回路部品および搭載基板に形成した前記下地電極形状を、互いに対向する電極のどちらか一方を対向する他の電極より大きく形成すると共に大きい方の電極における最上層のAuあるいはCuが露出する形状を対向する他電極とほぼ同じ形状とし、対向部以外の領域である外周部をシリコン酸化膜、シリコンチッ化膜あるいはレジスト等のはんだのぬれ性に劣る材料からなるはんだマスクで帯状に覆った電極構造に形成し、さらに、前記光素子や光回路基板あるいは搭載基板のどちらか一方の表面上の所定の位置および形状の突起を設け、前記光素子や光回路部品および搭載基板の電極を互いに位置合わせし、前記バンプ用はんだを加熱溶融することにより電極間を端子接続することを特徴とする光モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/92 B
, H01L 21/92 C
