特許

J-GLOBAL ID：200903017312755624

薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法

発明者： 高橋 弘
出願人/特許権者： 株式会社エイコー・エンジニアリング
代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-301255
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス材料を大面積の基板上に均質に堆積できるようにすると共に、スピッティング現象による膜の欠陥が生じないようにする。【解決手段】 坩堝5、5a、5b、5cから蒸発した成膜材料a、b、cの分子を成膜する固体表面に向けて放出する複数の分子放出口4、4a、4b、4cを一列または複数列に並んで設ける。また、坩堝5、5a、5b、5cと分子放出口4、4a、4b、4cとの間にバッファ室9、10、9a、10a、9b、10b、9c、10cを設けることにより、坩堝5、5a、5b、5cで発生した成膜材料a、b、cの分子を、それらバッファ室9、10、9a、10a、9b、10b、9c、10cを通してから分子放出口4、4a、4b、4cから固体表面に向けて発射する。

請求項（抜粋）：

成膜材料(a)、(b)、(c)を加熱することにより、その成膜材料(a)、(b)、(c)を昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生する真空蒸着用分子線源セルにおいて、成膜材料(a)、(b)、(c)を収納する坩堝(5)、(5a)、(5b)、(5c)と、この坩堝(5)、(5a)、(5b)、(5c)の中の成膜材料(a)、(b)、(c)を加熱して昇華またたは蒸発させる加熱手段と、成膜材料(a)、(b)、(c)の分子を成膜する固体表面に向けて前記坩堝(5)、(5a)、(5b)、(5c)から発生した分子を放出する分子放出口(4)、(4a)、(4b)、(4c)とを有し、この分子放出口(4)、(4a)、(4b)、(4c)が一列または複数列に並んで複数個形成されていることを特徴とする薄膜堆積用分子線源セル。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

C23C 14/24 C ,  C23C 14/24 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (7件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA15 ,  4K029DB14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 分子線源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304515   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-116772
  
• 特開昭60-059064