特許
J-GLOBAL ID：200903017313837306
二波長半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105040
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298093
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 ヒートシンクによる放熱を効率的に行うことができる二波長半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 発光部電極6,12間に幅2μm以上の絶縁膜11が形成されており、これによって両電極6,12が電気的に分離されている。そして、発光部電極6,12側がヒートシンク40側となるように、半田などによってサブマウントが行われる。ヒートシンク40とレーザ素子との間の半田として例えばAuSnなどを用いると、絶縁膜11に対する半田の濡れ性が悪いためにはじかれ、半田による電極短絡が良好に防止される。従って、ヒートシンク40が発熱の中心である発光部20,30側に位置するようになり、レーザ発振時に発生する熱が矢印FBで示すように効果的にヒートシンク側に逃げて、信頼性の高い動作が可能となる。
請求項（抜粋）：
独立して発光可能な複数の半導体レーザ素子を、発光点が近接するように共通基板上に設けるとともに、それら半導体レーザ素子を独立して駆動するための第1,第2及び第3の電極のうち、第1の電極を基板側に設け、第2及び第3の電極を発光側に設けた二波長半導体レーザ装置において、前記第2及び第3の電極を絶縁膜で分離するとともに、それら第2及び第3の電極と導電材を介してヒートシンクを設けたことを特徴とする二波長半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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