特許

J-GLOBAL ID：200903017314490300

配線構造体、その製造方法、および層間絶縁膜

発明者： 磯田 敬子 ,  田中 順 ,  片岡 文雄 ,  吉川 治彦 ,  小原 功
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200937
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124918
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】プラズマ処理等の膜表面処理を行うことなく、ポリイミド層と導体層との良好な接着を得る。【構成】ポリイミド層が、下記一般式(化1)により表される繰返し単位を5%以上有するポリイミド前駆体を加熱硬化させて得られるポリイミド膜からなる。ただし、R2は炭素数4以上の4価の有機基、Xは-COO-、-CO-、-NHCOO-、-NHCO-、-NHCONH-、-NH-、-NR6-または-CH2O-、Tは-(CH2)kOCOR6、-R6または-(CH2)kOR6、p=1または2、k=2〜4、R6はC1〜4のアルキル基。)【化1】

請求項（抜粋）：

導体層とポリイミド膜とを備える配線構造体において、上記ポリイミド膜は、下記一般式(化1)により表される繰返し単位を5モル%以上有するポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイミドからなることを特徴とする配線構造体。【化1】(ただし、R1は3価または4価の芳香族基、R2は4個以上の炭素を含む4価の有機基、Xは、-COO-、-CO-、-NHCOO-、-NHCO-、-NHCONH-、-NH-、-NR5-、-CH2O-のうちの少なくともいずれかの基、Tは15個以下の炭素を含む1価の有機基を、それぞれ表し、pは1または2である。また、R5は炭素数5個以下のアルキル基である。)

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/10 NTF ,  H01L 21/768 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46