特許

J-GLOBAL ID：200903017319357721

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 宇野沢 浩精
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321061
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 チャネル層ヘの電子の閉じこめ効果が大きく且つ移動度が高い、良好な特性を有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板と、該基板上に形成されたGaAsに格子整合するバッファ層と、該バッファ層上に該バッファ層から離れるにしたがってIn組成を徐々に上げて形成された(AlzGa1-z)1-xInxPからなる第1のグレーディッド層と、該第1のグレーディッド層上に形成されたInyGa1-yAsからなるチャネル層と、該チャネル層上に該チャネル層から離れるにしたがってIn組成を徐々に下げて形成された(AlzGa1-z)1-xInxPからなる第2のグレーディッド層と、該第2のグレーディッド層上に形成されたGaAsからなるキャップ層と、該キャップ層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とからなる電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板と、該半絶縁性GaAs基板上に形成されたGaAsに格子整合する高抵抗の半導体結晶からなるバッファ層と、該バッファ層上に該バッファ層から離れるにしたがってIn組成を徐々に上げて形成された(AlzGa1-z)1-xInxP半導体結晶からなる第1のグレーディッド層と、該第1のグレーディッド層上に形成されたInyGa1-yAs半導体結晶からなるチャネル層と、該チャネル層上に該チャネル層から離れるにしたがってIn組成を徐々に下げて形成された(AlzGa1-z)1-xInxP半導体結晶からなる第2のグレーディッド層と、該第2のグレーディッド層上に形成されたGaAsからなるキャップ層と、該キャップ層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、該ソ-ス電極およびドレイン電極間に該キャップ層を除去して形成されたゲート電極とからなる電界効果トランジスタであって、前記第1及び第2のグレーディッド層におけるAl組成zが0〜0.5であり、前記チャネル層におけるIn組成yが0.2〜0.6であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 F