特許

J-GLOBAL ID：200903017323188578

III -V族化合物を用いた発光及び受光素子

発明者： 藤井 克司 ,  下山 謙司 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163985
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】 エピタキシャル成長法によるIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合界面における、p型層側のp型の添加不純物として炭素を、n型層側のn型の添加不純物としてシリコンを用いることを特徴とするIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子【効果】 本発明により、明確な半導体接合面が得られ、この結果設計通りの性能を持つIII -V族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供することができ、またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じにくいIII -V族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供することである。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長法によるIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合界面における、p型層側のp型の添加不純物として炭素を、n型層側のn型の添加不純物としてシリコンを用いることを特徴とするIII -V族化合物半導体の発光素子又は受光素子

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-213886
  
• 特開平3-110829