半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102414
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】容量素子を有する半導体集積回路装置において、前記容量素子の電荷蓄積量を増加する。【構成】第1電極14、誘電体膜17、第2電極19の夫々を積み重ねたSTC構造を採用する情報蓄積用容量素子Cとメモリセル選択用MISFETQtとの直列回路をメモリセルとするDRAMを有する半導体集積回路装置において、前記メモリセルの情報蓄積用容量素子Cの第1電極14、第2電極19の少なくともいずれか一方が半導体(多結晶珪素膜)で構成され、この半導体で構成された第1電極14又は第2電極19と誘電体膜17との間に高融点珪化金属膜16,18を設ける。

請求項（抜粋）：

第1電極、誘電体膜、第2電極の夫々を積み重ねた容量素子を有する半導体集積回路装置において、前記容量素子の第1電極、第2電極の少なくともいずれか一方が半導体で構成され、この半導体で構成された第1電極又は第2電極と誘電体膜との間に金属珪化膜を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

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