化学増幅型レジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：久保山隆 , 中山亨 , 榎本雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-281350
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126818
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】優れた濾過特性を有し、レジスト塗布膜上の欠陥の数を大幅に低減できるだけでなく、経時によるレジスト液の変質によるレジスト塗布膜上の欠陥も大幅に低減でき、長期保存安定性を有する半導体塗布膜用溶液を提供する。【解決手段】粗樹脂(1)を40〜90°Cで活性炭と接触させ、その後珪藻土類及び/又はシリカゲル類と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)を含むことを特徴とする半導体塗布膜用溶液。該半導体塗布膜用溶液が化学増幅型レジスト組成物であり、処理済樹脂(1)とともに、酸発生剤及び溶媒を含む前記記載の半導体塗布膜用溶液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粗樹脂(1)を40〜90°Cで活性炭と接触させ、その後珪藻土類及び/又はシリカゲル類と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)を含むことを特徴とする半導体塗布膜用溶液。

IPC (7件)：

G03F 7/26 , C08F 6/00 , G03F 7/11 , G03F 7/039 , C08F 20/00 , C08F 12/00 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/26 , C08F6/00 , G03F7/11 501 , G03F7/039 601 , C08F20/00 510 , C08F12/00 510 , H01L21/30 502R

Fターム (40件)：

2H025AA00 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025BJ01 , 2H025BJ10 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB52 , 2H025CC03 , 2H025DA02 , 2H025DA03 , 2H025EA01 , 2H025EA04 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA20 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096LA17 , 2H096LA21 , 2H096LA30 , 4J100AB07P , 4J100AL08P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA11P , 4J100BC09P , 4J100BC53P , 4J100EA01 , 4J100GC35 , 4J100JA01 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015401 出願人：和光純薬工業株式会社, 住友化学工業株式会社
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-315265 出願人：住友化学工業株式会社

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