特許
J-GLOBAL ID：200903017325184545
半導体発光素子の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030582
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232016
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 高精度で半導体発光素子の実装ができしかも接合力も高い半導体発光素子の実装方法を提供すること。【解決手段】 フリップチップ型の半導体発光素子1をサブマウント素子に実装搭載して複合発光素子とする半導体発光素子の実装方法であって、サブマウント素子の表面に形成したn側及びp側の電極パターンのそれぞれに総数で3個のバンプ3a,3b,3cを形成し、フリップチップ型の半導体発光素子1をバンプ3a,3b,3cに搭載した後に圧下してレベリングを実行し、次いで半導体発光素子1に熱併用超音波振動を加えてバンプ3a,3b,3cを最終形状に成形する。
請求項（抜粋）：
フリップチップ型の半導体発光素子をサブマウント素子に実装搭載して複合発光素子とする半導体発光素子の実装方法であって、前記サブマウント素子の表面に形成したn側及びp側の電極パターンのそれぞれに総数で3個のバンプを形成し、前記フリップチップ型の半導体発光素子を前記バンプに搭載した後に圧下してレベリングを実行し、次いで前記半導体発光素子に熱併用超音波振動を加えて前記バンプを最終形状に成形することを特徴とする半導体発光素子の実装方法。
Fターム (7件)：
5F041AA37
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CB31
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA83
