特許
J-GLOBAL ID：200903017326339380
センサ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215190
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 安価で入手しやすいシリコンを利用した、捕捉物質が容易に担持できかつ安定した表面を有するセンサ素子、特に表面プラズモン共鳴を利用したセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を一旦酸素含有雰囲気に露出させてから、50°Cないし500°Cの温度で加熱に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含んでなる方法によってセンサ素子を製造する。
請求項（抜粋）：
支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を加熱処理に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含むとともに、前記加熱処理中に前記積層体表面には、前記シリコンの酸化物が存在しているセンサ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/27 C
, C03C 17/36
2G059AA05
, 2G059BB10
, 2G059BB16
, 2G059DD01
, 2G059DD16
, 2G059EE02
, 2G059HH02
, 4G059DA02
, 4G059DB08
, 4G059GA01
, 4G059GA02
