特許

J-GLOBAL ID：200903017329470992

電気めっきシステムにおいて原位置無電解銅シード層を強化するシステム及び方法

発明者： ロビン チェウン ,  ダニエル エイ カール ,  イェズディー エヌ ドーディー ,  ペーター ヘイ ,  ラトソン モラード ,  リーアン ユー チェン ,  ポール エフ スミス ,  アショク ケイ シンハ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245288
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158968
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 爾後の処理に先立って、基体上に無電解シード層を堆積させるシステム及び方法を提供することである。【解決手段】 システムは柔軟なアーキテクチャで設計され、幾つかの技法で構成できる。無電解めっきプロセスは電気めっきプロセスの原位置において遂行され、電気めっきプロセス前の酸化及び他の汚染を最小にする。システムは、これも酸化を最小にするために基体に保護被覆を施して無電解めっきプロセスから電気めっきプロセスまで転送できる。システムは、メインフレーム基体転送ロボットを有するメインフレーム、メインフレームに接続されて配置されているローディングステーション、メインフレームに接続されて配置されている1つ以上の処理設備、及び1つ以上の処理アプリケータに流体的に接続されている無電解源を含む。

請求項（抜粋）：

基体上に導電性の層を堆積させるシステムであって、a)転送ロボットを有する電気めっき処理メインフレームと、b)上記メインフレームに結合されているローディングステーションと、c)上記メインフレームに結合されている無電解めっきアプリケータと、d)上記無電解めっきアプリケータに流体的に接続されている無電解めっき流体源と、を備えていることを特徴とするシステム。

IPC (5件)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/52 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

C23C 18/31 F ,  C23C 18/52 Z ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/288 E