特許
J-GLOBAL ID:200903017335190438
3族窒化物半導体発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
藤谷 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-175238
公開番号(公開出願番号):特開2004-260219
出願日: 2004年06月14日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。【選択図】 図11
請求項(抜粋):
発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、
紫外線を発光するAlGaN から成る層を有する発光層と、
前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを設けたことを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L33/00 C
, H01L33/00 N
Fターム (12件):
5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041DA07
, 5F041DA18
, 5F041DA43
, 5F041DB01
, 5F041EE25
引用特許:
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