特許

J-GLOBAL ID：200903017336034499

パターン形成法

発明者： 岡田 智弘 ,  川辺 隆 ,  府山 盛明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161711
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【構成】アンダーカット部分の高さyとアンダーカット量xの関係が3y-2x+1≦0であるマスク材を用い、スパッタ法により成膜後、リフトオフを行いパターン形成を行う。【効果】スパッタ法を用いて、リフトオフ法により良好なパターン形成が行える。

請求項（抜粋）：

基板上に、アンダーカット部分の高さyとアンダーカット量xの関係が3y-2x+1≦0である形状を持つマスク材形成する工程と、薄膜を形成する工程と、前記マスク材を溶剤でリフトオフする工程とを含むパターン形成法。