特許

J-GLOBAL ID：200903017342451212

半導体基板処理装置

発明者： 宍戸 長次 ,  宮川 誠一 ,  花谷 勲
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340895
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 ガス導入管の材質を高温に耐えるSiCとしても水素ガスの燃焼を確実に監視しでき安定したパイロジェニック燃焼方式を行なえる構造を備えた半導体基板処理装置を提供する。【解決手段】 水素ガスを導入する第2のガス導入管15の先端部をU字状に折曲げてノズル部15aを形成し、該ノズル部15aと同一軸上に、プロセスチューブのガス導入側から伸びる炎検出用の中空導入管16を配置し、該炎検出用の中空導入管16の他端には透明な石英棒21を密着させ、該石英棒21の後方には赤外線フレームセンサ22を配置する。

請求項（抜粋）：

拡散炉のプロセスチューブの一端からガス導入管ノズルを介してプロセスガスを導入し、該ガスを燃焼させて、その燃焼炎から発生する光を検知し、該燃焼炎の発生の有無を監視する機能を備えた半導体基板処理装置において、上記ガス導入管の先端部をU字状に折曲げて、ガス噴出口となるノズル部を形成し、該ノズル部と同一軸上に、プロセスチューブの一端から内部に伸びるように炎検出用の中空の導入管を配置し、該中空の導入管の他端には透明な部材を密着させ、該透明な部材の他端には赤外線フレームセンサを配置したことを特徴とする半導体基板処理装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-297826
  
• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-141421   出願人：山形日本電気株式会社